내년 출시 예정인 차세대 초고속 메모리 제품, 샘플 공급 개시
SK하이닉스가 엔비디아의 차세대 인공지능 칩에 들어갈 7세대 고대역폭메모리 ‘HBM4E’ 샘플을 주요 거래처에 제공하기 시작했습니다. 메모리 반도체 분야에서 1위를 달리고 있는 이 회사는 검증된 기술과 안정적인 생산 능력을 바탕으로 인공지능 메모리 시장에서의 주도권을 더욱 확고히 하겠다는 계획입니다.
이번에 공급된 HBM4E는 12단 구조로 제작되었으며, 내년 엔비디아의 인공지능 가속기 ‘루빈 울트라’를 포함한 세계 주요 기술 기업들의 차세대 칩에 탑재될 초고성능 메모리 제품입니다.
● 미세 공정 기술 적용으로 성능 대폭 향상
HBM4E는 10나노미터급 6세대 디램을 여러 층으로 쌓아 만든 제품입니다. 이전 세대인 HBM4에 사용된 5세대 디램보다 더 정밀한 공정 기술을 적용하여 성능이 크게 개선되었습니다.
구체적으로 살펴보면, 데이터를 처리하는 속도는 초당 최대 16기가비트로 이전 제품의 11.7기가비트보다 30% 이상 빨라졌습니다. 에너지 효율성도 20% 이상 높아졌으며, 발열에 영향을 주는 열 저항은 17% 감소했습니다. 저장 용량은 12단 기준으로 48기가바이트입니다.
회사 측은 “최신 인터페이스 기술과 설계 최적화를 통해 데이터 전송 시 발생하는 지연을 줄였고, 고속 데이터 전송 환경에서도 안정적으로 작동하도록 구현했다”며 “차세대 인공지능 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 한층 높일 수 있을 것”이라고 밝혔습니다.
● 경쟁사와의 치열한 시장 경쟁 본격화
SK하이닉스가 HBM4E 샘플 출하를 시작하면서 삼성전자와의 차세대 인공지능 가속기 메모리 경쟁도 본격화되고 있습니다. 삼성전자는 지난달 주요 거래처에 HBM4E 샘플을 공급하며 SK하이닉스의 시장 선두 지위를 위협하고 있는 상황입니다.
삼성전자의 HBM4E는 가장 밑단을 이루는 베이스다이에 SK하이닉스보다 앞선 4나노미터 파운드리 공정을 적용했습니다. 이에 대응하여 SK하이닉스도 HBM4E 샘플 공급으로 맞불을 놓은 것으로 해석됩니다.
시장조사 기관에 따르면 올해 1분기 SK하이닉스의 고대역폭메모리 시장 점유율은 58%로 삼성전자의 21%를 크게 앞서고 있습니다. 다만 지난해 같은 시기 SK하이닉스 69%, 삼성전자 13%였던 것과 비교하면 양사 간 격차가 좁혀진 상태입니다. 이에 따라 차세대 제품 시장을 둘러싼 경쟁은 더욱 치열해질 것으로 보입니다.
● 글로벌 기업들과의 협력 강화 행보
한편 SK하이닉스는 최고경영진이 직접 엔비디아와 대만 TSMC 등 글로벌 주요 기술 기업 수장들을 잇따라 만나며 인공지능 반도체 협력 관계를 강화하고 있습니다.
이달 초 대만에서 열린 컴퓨터 전시회에 참석한 SK그룹 회장은 엔비디아 최고경영자, TSMC 회장과 만나 인공지능 메모리 협력 강화 방안을 논의했습니다. 또한 방한한 엔비디아 최고경영자와 만남을 갖고 친분을 과시하는 한편 인공지능 팩토리 분야 파트너십도 체결했습니다.